本文摘要：从2013年以来持续茁壮的DRAM市场，2016年未来发展值首度经常出现衰落。为突破半导体市场的萧条，三星电子（SamsungElectronics）致力升级识制程技术；SK海力士（SKHynix）则打算以史上最大规模的投资计划迎战。 韩国半导体业界自年初就笼罩紧张感，DRAM价格持续暴跌，配备DRAM的PC、智能型手机、平板电脑等市场需求也在衰退。 从2013~2015年仍然保持茁壮的存储器市场，2016年未来发展值首度经常出现衰落。

从2013年以来持续茁壮的DRAM市场，2016年未来发展值首度经常出现衰落。为突破半导体市场的萧条，三星电子（SamsungElectronics）致力升级识制程技术；SK海力士（SKHynix）则打算以史上最大规模的投资计划迎战。　　韩国半导体业界自年初就笼罩紧张感，DRAM价格持续暴跌，配备DRAM的PC、智能型手机、平板电脑等市场需求也在衰退。

从2013~2015年仍然保持茁壮的存储器市场，2016年未来发展值首度经常出现衰落。三星、SK海力士借着技术研发与大胆投资，企图突破市场困境。

　　据韩国经济报导，三星致力升级识制程技术，日前宣告应用于14纳米第二代鳍式场效晶体管（FinFET）制程的移动系统单芯片（SoC）开始量产。14纳米第二代FinFET制程比第一代耗电量节省15%，性能提高15%。　　三星在2015年1月首度业界，量产应用于14纳米FinFET制程的Exynos7Octa；2016年以第二代FinFET制程同时量产Exynos8Octa与高通（Qualcomm）Snapdragon820等代工产品。

第二代制程产品预计将配备于2016年3月上市的GalaxyS7（暂称）。　　无论在资料处理速度或性能上，三星制程水准都在业界名列前茅，而借着这次量产的机会，三星代工事业收益性有望更上一层楼。　　另一方面，SK海力士2016年则将继续执行史上最大规模，上看6.5兆韩元（大约53.5亿美元）的投资计划。由于2015年投资规模为6.4兆韩元，因此根据估算2016年投资最少减少1，000亿韩元，大约6.5兆韩元。

　　SK海力士涉及人士回应，经营条件虽然艰难，为了奠下未来的茁壮基础，依然必需先行投资。　　SK海力士2013年起就持续不断扩大设备投资，以扩展竞争力。2013年投资3.6兆韩元、2014年5.2兆韩元，2015年京畿道利川M14厂完工，已完成量产系统的整顿。

SK海力士2014年的营业利益首度突破5兆韩元的纪录，也被业界得益于大胆投资带给的效果。　　2016年SK海力士的投资重点将放到开发技术、增强成本竞争力与建构涉及基础设施等方面。

除了致力于10纳米级DRAM、3DNANDFlash的研发与量产，同时也不会持续在韩国利川与清州地区展开昌建新厂的投资。未知SK海力士曾在2015年8月宣告，先前将投放46兆韩元建设M14等3间新厂。　　韩国半导体产业协会常务安基贤（译名）回应，连大陆都跨足存储器半导体市场，让韩国业界充满著危机感，现在增强技术并利用投资保持竞争力，比任何时候都更为重要。

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